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320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

硅 Silicon 帶放大高速光電探測(cè)器 ET-2030A 美國EOT 產(chǎn)品總覽 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品EOT 的放大光電探測(cè)器()包含利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流的 PIN 光電二極管和允許測(cè)量1 mW 輸入功率的固定增益跨阻放大器。

2-12umMCT放大光電探測(cè)器靈敏款 2-12um感光范圍，超寬帶紅外測(cè)量，靈敏款

900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光電二極管 筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。 我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上

900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過渡電極板、溫度傳感器和兩級(jí)熱電冷卻器（2TE）組成，采用TO封裝形式。本用戶手冊(cè)僅介紹產(chǎn)品系列。